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      重磅!諾思在重慶國際手機展發布兩款FBAR工藝LTE頻段雙工器

      發布日期:2018-11-15


      第二屆重慶國際手機博覽會今日在重慶國際會議展覽中心開幕。國內首家薄膜體聲波(FBAR)芯片制造商諾思(天津)微系統有限責任公(以下簡稱諾思),在此次展會上發布了基于FBAR工藝的兩款中高頻LTE頻段雙工器,RSFD1702CRSFD2502C

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      諾思副總裁蔣浩在展會上說,自2014年開始大批量交付以來,諾思已經向全球100余家客戶供應了射頻濾波芯片近1億顆,廣泛應用于各類3G/4G無線智能終端、導航終端及設備、基站、衛星通訊、物聯網終端等領域。

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      蔣浩談到,公司研發團隊在FBAR領域17年持續、不間斷努力,不斷提升產品設計能力和制造工藝能力。截止到今天,公司仍然是國內唯一掌握自主知識產權,唯一實現大批量交付,且各項性能指標全部達到甚至部分超過國際同行業水平的公司。2019年諾思工廠交付能力將達到20億顆/年。

      本次在展會上諾思發布的雙工器,預計將在2018年12月大批量交付市場。同時蔣浩還透露,今年年底前諾思還將發布一款高功率全頻段濾波器產品和針對5G新頻段的濾波器樣品。

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      RSFD1702C采用最新的技術和工藝,保證濾波器具有優良的上行/下行通帶插損性能。上行通帶整體插損性能優于-2.4dB, 通帶中央插損-1.1dB,同時具有較高的功率容量。下行通帶中央插損約-1.5dB, 同時具有較高的功率容量,可應對基站應用的需求。同時,該款產品具有較高的上行/下行之間的隔離度性能,達到-55dB以下。該產品還采用了先進的芯片倒裝封裝工藝,產品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm,以適用于客戶對系統空間不斷提高的要求。

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      RSFD2502C具備了FBAR濾波器高滾降,高功率,1000V以上的防靜電擊穿能力(ESD)的特點,與此同時以更小尺寸為客戶節省更多的集成空間。性能方面RSFD2502C的發射端(Tx Port)提供了右側的高抑制度,全溫通帶內(-20℃~+85℃)低插入損耗,主要體現在工作狀態下高耐受功率的特性。接收端(RxPort)提供了全溫通帶內(-20℃~+85℃)的低插入損耗和發射端(Tx Port)的高隔離度,為應用環境提供了優秀的靈敏度。


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